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参数目录41100
> TP0610K-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 60-V
型号:
TP0610K-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH D-S 60-V
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
TP0610K-T1-GE3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
185mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.7nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds
23pF @ 25V
功率 - 最大
350mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
带卷 (TR)
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